Etron(鈺創科技)
台湾5351.TWO最終更新 2026-05
台湾の特化型メモリIC設計(ファブレス)専業メーカー。PSRAM/低容量DRAM/SRAM/CMOSセンサ中心。汎用DRAM逼迫の二次受益銘柄として、Nanya/Winbond/PSMC とは別の角度から DRAM サイクルを観察する。
Etron Technology(鈺創科技)は 1991年に IBM 出身の盧超群(Nicky Lu)が創業した台湾のファブレス特化型メモリ IC 設計会社。台湾証券店頭(櫃買 / Taipei Exchange)上場で、ティッカーは 5351.TWO。Nanya / Winbond / PSMC のような自社ファブを持つ DRAM メーカーとは違い、自社設計+ファウンドリ委託(TSMC / UMC / PSMC など)でメモリ・ロジックチップを供給する。
製品ラインナップ
- 主力: PSRAM(疑似 SRAM)、低容量 DRAM(DDR3 等)、SRAM、各種バッファ IC
- イメージセンサ / 3D センシング: 子会社 eYs3D を通じて深度カメラ・AI Vision 向けセンサも展開
- 主要顧客アプリ: 産業機器・IoT エッジ・スマート家電・車載 ADAS の補助メモリ、スマートグラス、AR/VR 周辺
- 作っていない: HBM、最先端 DDR5、メインメモリ向けハイエンド DRAM モジュール
汎用 DRAM 逼迫局面での読み方
Samsung / SK hynix / Micron が HBM 増産で汎用 DRAM 生産能力を絞ると、特殊 DRAM / PSRAM もウェハ供給がタイトになり ASP が押し上げられる。Etron はファブレスゆえ ウェハ調達コストとの板挟みになりやすいが、特化型ニッチで価格転嫁できれば月次売上の YoY が急伸する。実際 2026 年 5 月の月次売上は前年同月比 +605.5%と急増しており、Nanya / Winbond の二次受益として補助的に読める。
同じ汎用・特化型 DRAM ニッチで戦う他社
- Nanya(南亞科技): 汎用 DDR3/DDR4 主力。台塑グループの自社ファブ
- Winbond(華邦電子): 組込み向けニッチ DRAM・SLC NAND・NOR Flash の自社ファブ
- Powerchip / PSMC(力晶積成): 旧世代 DRAM とファウンドリ受託の兼業
売上急増の理由:ASP(単価)が主、数量が従
鈺創 IR・盧超群董事長の説明を整理すると、月次売上 YoY +600% は「単価上昇が主因、数量増が副因」の二段構え。直近の急騰を作っているのは1段目の ASP で、2段目の数量と3段目の構造転換(MemorAiLink)が将来の継続性を支える、という建付けになっている。
主因:利基型 DRAM / PSRAM の ASP(単価)上昇
- DDR4 現物価格が年初から約5倍に上昇。盧超群董事長は「甚至有錢也買不到」(金を積んでも買えない)と表現
- 鈺創自身は「利基型DRAM報價上漲」が「轉機大主升段(ターンアラウンドの本流)」と説明
- 構造: Samsung / SK hynix / Micron が HBM と DDR5 へ生産能力をシフト → DDR3/DDR4・PSRAM が供給逼迫 → 鈺創が穴を埋めて ASP を取り切る
- 需給見通し: 2027年上半期まで DRAM 缺貨が続く(理由: 「DRAM ファブ新設には最低 6 年かかる」)。出荷側は完全に売り手市場(盧超群「給貨像聖誕老公公」)
副因:出荷数量(数量)も並走して増加
- 網通(ネットワーク機器)+ 工控(産業向け) の訂單噴發
- Wi-Fi 5 / 6 / 6E / 7 向けニッチ DRAM の認定獲得 → 量産開始(通信製品の主流規格化)
- ロボット / エッジ AI 向け: 子会社 eYs3D の RPC inside G120 視覚モジュール、AMR01C/M ロボット準系統
- MemorAiLink プラットフォーム: カスタマイズ+異種チップ統合パッケージング(ASIC 開発向け)。鈺創は「2026 年最重要の成長エンジン」と位置付け(CES 賞 3 回受賞)
寄与の比重まとめ
- 利基型 DRAM / PSRAM の ASP 上昇: 主因(DDR4 は5倍)/IR の強調度: 最大
- 網通・工業向け数量増: 副因/IR の強調度: 中
- Wi-Fi 5/6/7 向け数量増: 副因/IR の強調度: 中
- ロボット / エッジ AI 数量増: 構造変化のドライバー/中(将来期待)
- MemorAiLink 統合製品: 2026 年最大の成長エンジン/強(将来期待)
つまり「価格 → 数量 → 構造転換(MemorAiLink)」の三段ロケット。直近の YoY +600% を作っているのは1段目(ASP)が主、2段目(数量)が従。Nanya / Winbond / PSMC と同じ「Samsung/SK hynix/Micron の HBM 集中で汎用 DRAM が空く → 台湾ニッチが価格と数量を両取り」という構図に、鈺創の場合はファブレスの身軽さと MemorAiLink の異種パッケージング差別化が加わる、と読める。
月次売上(月營収)単位: 億NT$(折れ線は前年同月比 %)
月次売上と前年同月比(YoY)の推移
- 出所: FinMind(TaiwanStockMonthRevenue)。元データは NTD 実額を 1e8 で除し「億NT$」へ正規化。
- 前年同月比は (当月 − 前年同月) / 前年同月 × 100。台湾の特化型メモリIC設計(ファブレス)専業メーカー(鈺創科技)。PSRAM/低容量DRAM/SRAM/CMOSセンサが中心で、汎用DRAM逼迫局面の二次受益銘柄として読む。
四半期売上高 & 一株当たり利益(EPS)単位: 億NT$(公式四半期決算ベース)
四半期ベースの売上高推移
一株当たり利益(EPS)の四半期推移
四半期売上 × EPS(億NT$ / NT$)
| 四半期 | 1Q22 | 2Q22 | 3Q22 | 4Q22 | 1Q23 | 2Q23 | 3Q23 | 4Q23 | 1Q24 | 2Q24 | 3Q24 | 4Q24 | 1Q25 | 2Q25 | 3Q25 | 4Q25 | 1Q26 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 売上(億NT$) | 10.5 | 11.6 | 10.6 | 14.8 | 5.6 | 7.0 | 7.6 | 12.0 | 8.5 | 8.8 | 9.3 | 10.8 | 6.3 | 7.0 | 12.7 | 12.9 | 30.7 |
| EPS(NT$) | 0.81 | 0.57 | 0.01 | -0.82 | -0.78 | -0.48 | -0.96 | -0.89 | -0.65 | -0.39 | -0.34 | -0.44 | -0.61 | -0.70 | -0.43 | 0.21 | 1.88 |
| 決算開示(目安) | 2022/05/15 | 2022/08/14 | 2022/11/14 | 2023/03/31 | 2023/05/15 | 2023/08/14 | 2023/11/14 | 2024/03/31 | 2024/05/15 | 2024/08/14 | 2024/11/14 | 2025/03/31 | 2025/05/15 | 2025/08/14 | 2025/11/14 | 2026/03/31 | 2026/05/15 |
- Etron の四半期決算は暦年ベース。1Q=1-3月、2Q=4-6月、3Q=7-9月、4Q=10-12月。
- 売上は TWSE/TPEx 開示月次売上を四半期合算(元値 NT$ 千元 → 100 で除して「億NT$」へ正規化)。
- EPS は鈺創公式 IR ベース(出所: Yahoo Finance 5351.TWO 每股盈餘)。赤字は負値。
- 2022年通年は黒字、2023〜2025年Q3まで赤字、2025Q4で黒字転換、2026Q1 で EPS 1.88(季増 +795%)と急回復。利基型 DRAM 価格上昇+網通/工業向け数量増のW寄与。
- reportedAt は台湾証取法の公示期限(Q1〜Q3 = 四半期末+45日、Q4 = 年度末+75日)を基準にした概算で、実際の決算速報日とは数日ズレる可能性あり。