DRAM前工程能力の推移

Samsung: P4と華城転用で先端DRAMを厚くする

Samsungは、2025Q4の月間690K WPMから2028Q4の月間920K WPMへ、約230K WPMの純増として置いた。 増加の中心は汎用DRAMの単純な増設ではなく、平沢P4を軸にした1c DRAM、HBM4、DDR5、LPDDR5X、SOCAMM向けの先端能力である。 2026年末に1c DRAMを月間200K WPM規模へ引き上げるという見方を、P4の立ち上げと既存ラインの転用に配分している。

既存拠点では、華城Line 17の1c化とLine 12のDRAM向け転用を、能力の「新設」ではなく生産効率と先端ノード比率を押し上げる材料として扱った。 2028年以降はP5が上振れ余地になるが、このページの2028Q4値では、P5をフル寄与させるよりも保守的に月間920K WPMで止めている。 HBM向け能力は2025Q4の月間170K WPMから2028Q4の月間320K WPMへ増える前提で、総能力の増加分の相当部分がHBM側に吸われる。

SK Hynix: M15Xと龍仁がHBMの上限を押し上げる

SK Hynixは、2025Q4の月間520K WPMから2028Q4の月間680K WPMへ、約160K WPMの増加として置いた。 中心になるのは清州M15Xで、HBM4向け1b DRAMの量産前倒しと第2クリーンルームの装置導入を、2026年後半以降の能力増加として反映している。 M15X単体では長期的に大きな追加能力を持つが、このページでは立ち上げ速度をならし、四半期ごとの月間能力に補間した。

もう一つの柱は龍仁半導体クラスター第1Fabである。初回クリーンルームの前倒しにより、2027年以降の先端DRAM/HBM能力の余地が広がる。 ただし、SK HynixはHBMミックスが高いため、総WPMが増えてもNon-HBMの増加は抑えられる。 HBM向け能力は2025Q4の月間160K WPMから2028Q4の月間280K WPMへ増える前提で、汎用DRAMの供給余力とは分けて見る必要がある。

CXMT: 総WPMは大きく増えるが、先端HBMとは分けて見る

CXMTは、2025Q4の月間200K WPMから2028Q4の月間500K WPMへ、約300K WPMの増加として置いた。 この増加はDRAM総能力を押し上げる最大の要因の一つだが、Samsung、SK Hynix、Micronの先端DRAM/HBM能力と同質には扱わない。 DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5を中心に、中国国内需要を取り込む能力として読む。

まず合肥Fab群の増強で2026年に月間300K WPMへ進み、北京Fabと追加ラインの寄与で2027年に月間400K WPMへ近づく前提にした。 さらに上海Liangang地区の新工場を上振れ要因として織り込み、Phase 1とPhase 2の寄与を2027年から2028年にかけて段階的に置いた。 HBM向け能力は2028Q4でも月間60K WPMとし、総WPMの伸びに比べて限定的に扱っている。

地域系メーカー: 総能力には効くが、HBM需給の主因ではない

Nanya、Winbond、PSMC、JHICC、SwaySureの合計は、2025Q4の月間209K WPMから2028Q4の月間327K WPMへ増える前提にした。 Nanyaは新Fab、Winbondは既存Fab、PSMCはHsinchu memory capacity、JHICCとSwaySureは中国ローカルDRAM能力として加算している。 全体WPMには確実に効くが、HBM4や最先端DRAMの制約を解く能力とは別枠で見る。